[发明专利]缩减在半导体装置的接点等级中图案化两个不同应力诱发层的期间所产生与地貌相关的不平整有效
| 申请号： | 200980155188.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102369598A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | R·黎克特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 在精密的半导体装置(200)中，可在基本的晶体管装置(222)上方设置应力诱发材料(230，240)，而无须任何蚀刻控制或蚀刻终止材料，藉此有效地减少表面地貌(topography)，尤其是在包含紧密间隔的多晶硅线(222)的场区域上方。再者，可基于优越的表面地貌设置额外的应力诱发材料(235)，藉此在效能驱动晶体管组件(222P，222N)中设置高效率的应变诱发机制。 | ||
| 搜索关键词： | 缩减 半导体 装置 接点 等级 图案 两个 不同 应力 诱发 期间 产生 地貌 相关 平整 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在形成于半导体装置(200)的装置等级中的第一及第二导线(222P，222N)上方形成第一应力诱发层(230)；实施蚀刻制程，用于将该第一应力诱发层(230)自该第二导线(222N)上方移除，同时保留该第一导线(222P)上方的该第一应力诱发层；于该第二导线(222N)上以及于经保留于该第一导线(222P)上方的第一应力诱发层(230)上形成第二应力诱发层(240)；自该第一导线(222P)上方选择性地移除该第二应力诱发层(240)及该第一应力诱发层(230)的材料；以及于该第一及第二导线(222P，222N)上方形成至少一层进一步应力诱发层(235)，该至少一层进一步应力诱发层(235)与该第一应力诱发层(230)诱发相同类型的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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