[发明专利]利用穿通效应的硅发光器件无效
| 申请号： | 200980155227.0 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102292834A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | M·杜普勒西斯 | 申请（专利权）人： | 因西亚瓦(控股)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 南非比*** | 国省代码： | 南非;ZA |
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| 摘要： | 一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的主体(12)。在该主体中的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间形成有结区域。第二浓度的第二掺杂类型的第三区域(12.3)和结区域(14)被第二区域(12.2)间隔开。第二浓度高于第一浓度。端子布置(18)连接到主体，以便在使用时将第一结区域(14)反向偏置为击穿模式，从而引起发光。该器件被配置为在结区域进入击穿前，与结区域(14)相关联的耗尽区到达第三区域(12.3)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 效应 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：‑间接带隙半导体材料的主体；‑在该主体中的第一掺杂类型的第一区域和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域之间形成的结区域；‑该主体包括第二浓度的第二掺杂类型的第三区域，第三区域和结区域被第二区域间隔开；‑其中第二浓度高于第一浓度；和‑连接到主体的端子布置，用于在使用时将第一结区域反向偏置为击穿模式，从而引起发光。
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