[发明专利]用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜有效
| 申请号： | 200980155521.1 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102362013A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 文森特·帕尼卡西奥;林璇;理查德·赫图贝斯;陈青云 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人： | 刘良勇;李瑞峰 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部。该方法包括将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含(a)铜离子源和(b)整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 吡啶 整平剂 微电子 装置 沉积 | ||
【主权项】：
一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部，该方法包括：将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含(a)铜离子源和(b)整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。
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