[发明专利]用于外延剥离的多个堆栈沉积无效
| 申请号： | 200980155968.9 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102301450A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 何甘;安德瑞斯·海吉杜斯 | 申请（专利权）人： | 奥塔装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种含有布置于衬底上的多个磊晶堆栈的薄膜堆栈，及一种用于形成此薄膜堆栈的方法。在一实施例中，该外延堆栈含有布置于该衬底上的第一牺牲层、布置于该第一牺牲层上的第一外延膜、布置于该第一外延膜上的第二牺牲层，及布置于该第二牺牲层上的第二外延膜。该薄膜堆栈可进一步含有布置于牺牲层上的额外的外延膜。通常，所述外延膜含有砷化镓合金，且所述牺牲层含有砷化铝合金。方法提供通过在外延剥离(ELO)过程期间蚀刻掉所述牺牲层而自该衬底移除所述外延膜。所述外延膜可用作光伏电池、激光二极管，或其它器件或材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 剥离 堆栈 沉积 | ||
【主权项】：
一种布置于衬底表面上的薄膜堆栈，包含：第一牺牲层，其布置于衬底上；第一外延膜，其布置于所述第一牺牲层上；第二牺牲层，其布置于所述第一外延膜上；及第二外延膜，其布置于所述第二牺牲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
