[发明专利]使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法有效
| 申请号： | 200980156339.8 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102308260A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | D·J·阿布达拉;R·R·达梅尔;高野祐辅;李晋;黑泽和则 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料美国公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宓霞 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基材上形成任选的吸收性有机底层；b)在所述底层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂的顶部的程度以致所述光致抗蚀剂图案露出；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。本发明进一步涉及上述方法的产品和由使用上述方法制成的微电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 聚硅氮烷 形成 色调 图像 硬掩模 方法 | ||
【主权项】：
在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)任选地，在基材上形成吸收性有机底层；b)在所述底层上形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂图案的顶部露出的程度；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AZ电子材料美国公司，未经AZ电子材料美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980156339.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
