[发明专利]用于根据组织压缩时间来指示进行外科缝合的人体组织特性的指示器装置

摘要

本实用新型涉及一种功率半导体器件，其包括有源区，有源区具有：第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；第二导电类型的本体区，与基底层接触；第一导电类型的源极区，位于所述本体区中；第一导电类型的第一掺杂区，至少部分位于本体区之下，第一掺杂区的掺杂浓度高于基底层的掺杂浓度；第二导电类型的第二掺杂区，位于本体区中且至少部分位于源极区下面，第二掺杂区的掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度；发射极电极，连接到所述源极区；向下延伸到基底层中的沟槽，含有连接到发射极电极的屏蔽电极，其中沟槽延伸到基底层中的深度比第一掺杂区深；以及栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与屏蔽电极电绝缘。

主权项

一种功率半导体器件（200），其特征在于所述功率半导体器件包括有源区，所述有源区具有：第一导电类型的基底层（230），具有第二导电类型的下部半导体层（220）；第二导电类型的本体区（250），与所述基底层接触；第一导电类型的源极区（251），位于所述本体区（250）中；第一导电类型的第一掺杂区（240），至少部分位于本体区之下，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于基底层（230）的掺杂浓度；第二导电类型的第二掺杂区（253），位于本体区（250）中且至少部分位于源极区（251）下面，所述第二掺杂区的掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度；发射极电极（290），连接到所述源极区（251）；向下延伸到基底层中的沟槽（276），含有屏蔽电极（277），所述屏蔽电极（277）连接到所述发射极电极（290），其中所述沟槽（276）延伸到基底层中的深度比第一掺杂区（240）深；以及栅极（270），至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘。