[发明专利]有机电子电路无效
申请号: | 200980156586.8 | 申请日: | 2009-12-14 |
公开(公告)号: | CN102318069A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | A·乌尔曼;K·施密特 | 申请(专利权)人: | 波利IC有限及两合公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/05 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种有机电子电路(1,2,3),其包括主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子部件(10,11,12)。所述多层膜体具有一个或多个导电功能层(101,105)和一个或多个半导电功能层(103)。在所述有机电子电路(1,2,3)的第一区域(90)中,所述有机电子部件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为所述电子部件(10,11,12)的电极层。在所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层中,形成用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极。所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层被进一步形成为第一电容器电极板(201)的形式。所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层由此形成所述有机电子部件(10,11,12)的整体部分。在所述有机电子电路(1,2,3)的第二区域(91)中,所述有机电子部件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为所述电子部件(10,11,12)的电极层。在所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层中,形成用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极。所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层被进一步形成为第二电容器电极板(211)的形式。所述一个或多个导电功能层中的所述一个导电功能层由此形成所述有机电子部件(10,11,12)的集成部分。所述电子电路(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起。所述主衬底(80,80a,80b)包括导电层。该导电层被形成为第三电容器极板(50)的形式。所述第三电容器极板(50)被形成且所述电子部件(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被彼此层叠,以便所述第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211)中的每一个。所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和所述第三电容器极板(50)形成所述有机电子电路(1,2,3)的电容器。 | ||
搜索关键词: | 有机 电子电路 | ||
【主权项】:
一种有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)具有主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子组件(10,11,12),所述多层膜体具有一个或多个导电功能层(101,105)和一个或多个半导电功能层(103),其中在所述有机电子电路(1,2,3)的第一区域(90)中,所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的具有所述电子组件(10,11,12)的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第一电容器极板(201)的形式,所述第一电容器极板(201)由此形成所述有机电子组件(10,11,12)的整体部件,并且在所述有机电子电路(1,2,3)的第二区域(91)中,所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的具有所述电子组件(10,11,12)的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第二电容器极板(211)的形式,所述第二电容器极板(211)由此形成所述有机电子组件(10,11,12)的整体部件,所述电子电路(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,所述主衬底(80,80a,80b)具有导电层,该导电层被形成为第三电容器极板(50)的形式,并且所述第三电容器极板(50)被形成且所述电子组件(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,以便所述第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211),并且所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和所述第三电容器极板(50)形成所述有机电子电路(1,2,3)的电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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