[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其具备：形成在基板(101)上的半导体层层叠体(105)、空出间隔地形成在半导体层层叠体(105)上的第一欧姆电极(111)及第二欧姆电极(113)、形成在第一欧姆电极(111)与第二欧姆电极(113)之间的第一控制层(117)、形成在第一控制层(117)上的第一栅电极(115)。第一控制层(117)具有：下层(117a)、形成在下层(117a)上且杂质浓度比下层(117a)的杂质浓度低的中层(117b)、形成在中层(117b)上且杂质浓度比中层(117b)的杂质浓度高的上层(117c)。

主权项

一种半导体装置，其具备：基板；半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层及带隙比该第一氮化物半导体层的带隙大的第二氮化物半导体层；第一欧姆电极及第二欧姆电极，其相互空出间隔地形成在所述半导体层层叠体上；第一控制层，其形成在所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间；第一栅电极，其形成在所述第一控制层上，所述第一控制层由p型的氮化物半导体层层叠体构成，所述p型的氮化物半导体层层叠体具有：下层，其与所述第二氮化物半导体层相接；中层，其形成在所述下层上且其杂质浓度比所述下层的杂质浓度低；上层，其形成在所述中层上且其杂质浓度比所述中层的杂质浓度高。