[发明专利]电子器件用外延基板及其生产方法

摘要

提供一种电子器件用外延基板，其同时具有良好的减少的横向漏电流和横向耐压特性，并且其可改进纵向耐压。外延基板设置有Si单晶基板、作为绝缘层形成于所述Si单晶基板上的缓冲层和通过在所述缓冲层上外延生长多个III族氮化物层形成的主层压体，并且使用横向作为电流传导方向。所述缓冲层至少包括接触所述Si单晶基板的初期生长层和在所述初期生长层上具有超晶格结构的超晶格层压体。所述初期生长层由AlN材料制成。所述超晶格层压体通过将包括Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1，0≤b1≤1，0≤c1≤1，0≤d1≤1，a1+b1+c1+d1＝1)材料的第一层与包括具有不同于所述第一层的带隙的Ba2Alb2Gac2Ind2N(0≤a2≤1，0≤b2≤1，0≤c2≤1，0≤d2≤1，a2+b2+c2+d2＝1)材料的第二层交替层压形成。所述超晶格层压体和所述主层压体在缓冲层侧的部分的特征在于二者具有1×1018/cm3以上的C浓度。

主权项

一种电子器件用外延基板，其包括Si单晶基板、作为绝缘层形成于所述Si单晶基板上的缓冲层和在所述缓冲层上的外延生长的多个III族氮化物层形成的主层压体，其中将外延基板的横向定义为电流传导方向，所述电子器件用外延基板的特征在于：所述缓冲层至少包括与所述Si单晶基板接触的初期生长层和在所述初期生长层上由超晶格多层结构构成的超晶格层压体；所述初期生长层由AlN材料制成；所述超晶格层压体通过将由Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1，0≤b1≤1，0≤c1≤1，0≤d1≤1，a1+b1+c1+d1＝1)材料制成的第一层和具有与所述第一层的带隙不同的带隙的由Ba2Alb2Gac2Ind2N(0≤a2≤1，0≤b2≤1，0≤c2≤1，0≤d2≤1，a2+b2+c2+d2＝1)材料制成的第二层交替层压形成；和所述超晶格层压体和所述主层压体在所述缓冲层侧的部分均具有1×1018/cm3以上的碳浓度。