[发明专利]RFID芯片的光学控制在审
| 申请号： | 200980157092.1 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102326168A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | I·J·福斯特 | 申请（专利权）人： | 艾利丹尼森公司 |
| 主分类号： | G06K7/10 | 分类号： | G06K7/10;G01N21/64;H05B33/00;G06K19/073;G06K19/077;C09K11/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 射频识别(RFID)系统(100)，其包括RFID芯片(202)和布置在RFID芯片附近的光活性材料(212)。光活性材料(212)以光频辐射的形式为RFID芯片提供能量，其影响(例如，增强或者抑制)RFID芯片(202)的性能和其对读出信号的灵敏度。红外(IR)光(111)照射RFID芯片抛光的背面(211)，根据IR光的强度增强或者抑制RFID芯片的读取速度。用于控制RFID设备运行的方法包括通过射频(RF)读出器场照射多个(402)RFID设备(102)，读出器场低于RFID设备的运行阈值，并光学地照射多个RFID设备的所选一个，以便所选的RFID设备变为运行的并且与RFID读出器(106)通讯。 | ||
| 搜索关键词： | rfid 芯片 光学 控制 | ||
【主权项】：
射频识别(RFID)系统，其包含：RFID芯片，和布置在所述RFID芯片附近的光活性材料，其中所述光活性材料以光频辐射的形式为所述RFID芯片提供能量，其影响所述RFID芯片对读出器信号的灵敏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利丹尼森公司，未经艾利丹尼森公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980157092.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具备改进的水冷却结构的坩埚轴
- 下一篇：整体火道墙的吊运装置及方法
