[发明专利]晶体管安装体及其制造方法无效
申请号: | 200980157498.X | 申请日: | 2009-10-16 |
公开(公告)号: | CN102334181A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 田中健一郎;上田哲三;松尾尚庆;引田正洋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/338 | 分类号: | H01L21/338;H01L21/52;H01L29/778;H01L29/812 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 晶体管安装体的制造方法具备:形成晶体管(100)的步骤(a);对形成基板(101)进行研磨的步骤(b);和将对形成基板(101)进行了研磨后的晶体管(100)固定于保持基板(200)的步骤(c)。步骤(a)在形成基板(101)的主面上依次形成第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层。步骤(b)对形成基板(101)的与主面相反侧的面进行研磨。步骤(c)在将形成基板(101)的翘曲变小的方向的应力施加于形成基板(101)的状态下将晶体管(100)固定于保持基板(200)上。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 安装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体管安装体的制造方法,其具备:步骤(a),形成晶体管,所述晶体管具有在形成基板的主面上依次层叠的第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层;步骤(b),在所述步骤(a)之后,对所述形成基板上的与所述主面相反侧的面进行研磨;和步骤(c),在所述步骤(b)之后,在将所述形成基板的翘曲变小的方向的应力施加于所述形成基板的状态下,将所述晶体管固定于保持基板上;所述形成基板由与所述第1半导体层以及第2半导体层不同的材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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