[发明专利]使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法无效
| 申请号： | 200980157574.7 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102333827A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | R.Y-K.梁;D-L.周;W.范 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C09D11/00 | 分类号： | C09D11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹小刚;杨思捷 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法。含硼墨包含来自含硼材料的硼或含硼材料的硼和产生大约1.5至大约6的含硼墨铺展系数的铺展最小化添加剂。该含硼墨具有大约1.5至大约50厘泊的粘度并在沉积在半导体衬底上时提供大约10至大约100欧姆/方块的退火后薄层电阻、大约0.1至大约1μm的退火后掺杂深度和大约1x1019至1x1020原子/cm3的硼浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 接触 印刷 半导体 衬底 形成 掺杂 区域 含硼墨 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
含硼墨，该含硼墨包含：含硼材料的硼或来自含硼材料的硼；和铺展最小化添加剂，其导致所述含硼墨的铺展系数为大约1.5至大约6；其中该含硼墨具有大约1.5至大约50厘泊的粘度并在沉积在半导体衬底上时提供大约10至大约100 欧姆/方块的退火后薄层电阻、大约0.1至大约1 μm的退火后掺杂深度和大约1 x 1019至1 x 1020个原子/cm3的硼浓度。
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