[发明专利]成膜方法与成膜装置无效
| 申请号： | 200980157890.4 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102341891A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 松山秀昭;和田雄人 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H05H1/46;C23C16/505;H01L31/04;H05H1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在沉积室中的衬底上执行成膜过程。第一电极设置在沉积室中并接地。在沉积室中设置面对第一电极的第二电极。射频电源向第二电极提供射频功率。DC电源向第二电极提供DC偏压电压。控制单元调节偏压电压以使其小于在提供射频功率但没有提供偏压电压时第二电极的电位。以此方式，有可能在防止沉积过程中膜沉积速率减小的同时改进膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，包括：将设置于沉积室中的第一电极接地；在第一电极上设置衬底；向设置于沉积室中并面对第一电极的第二电极供应射频功率和偏压电压，藉此通过等离子体CVD在衬底上形成膜；和当供应射频功率和偏压电压时，将第二电极的平均电位调节成小于供应射频功率但不供应偏压电压时的第二电极的平均电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980157890.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗旱剂及其应用
- 下一篇：化合物、含氟原子聚合物和放射线敏感性树脂组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
