[发明专利]光电动势装置及其制造方法

摘要

得到一种在表面和背面的电极中得到期望的电阻值、并且即使基板厚度与以往相比变薄也能够比以往提高转换效率的光电动势装置的制造方法。包含如下工序：在p型硅基板(12)的第1面侧形成扩散了n型杂质的n型扩散层(13)；在n型扩散层(13)上形成防反射膜(14)；在硅基板(12)的第2面上形成由SiONH膜构成的背面钝化膜(15)；在防反射膜(14)上以表面电极形状形成包含银的膏材料；焙烧硅基板(12)来形成与n型扩散层(13)接触的表面电极(20)；在背面钝化膜(15)上以背面电极形状形成包含金属的膏材料；以及向背面电极的形成位置照射激光来使膏材料中的金属熔融、凝固而形成背面电极(30)。

主权项

一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包含：杂质扩散层形成工序，在第1导电型的硅基板的第1主表面侧形成扩散了第2导电型的杂质的杂质扩散层；防反射膜形成工序，在所述杂质扩散层上形成防反射膜；背面钝化膜形成工序，在所述硅基板的第2主表面上形成由SiONH膜构成的背面钝化膜；表面电极形状形成工序，在所述防反射膜上以表面电极形状形成包含银的膏材料；表面电极形成工序，焙烧所述硅基板来形成与所述杂质扩散层接触的表面电极；背面电极形状形成工序，在所述背面钝化膜上以背面电极形状形成包含金属的膏材料；以及背面电极形成工序，向所述背面电极的形成位置照射激光来使所述膏材料中的金属熔融、凝固而形成背面电极。