[发明专利]表面波等离子体CVD设备以及成膜方法无效
申请号: | 200980159304.X | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN102421938A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 铃木正康 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;H01L21/318 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种表面波等离子体CVD设备,其包括:波导(3),其连接到微波源(2)并且形成有多个槽孔天线(S);电介质构件(4),其将从多个槽孔天线(S)发出的微波导入到等离子体处理室(1)中以产生表面波等离子体;移动装置(6),其以使基板状的成膜对象(11)经过面对电介质构件(4)的成膜处理区域的方式使成膜对象往复运动;以及控制装置(20),其根据成膜条件通过移动装置(6)控制成膜对象(11)的往复移动以在成膜对象上进行成膜。 | ||
搜索关键词: | 表面波 等离子体 cvd 设备 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种表面波等离子体CVD设备,其包括:波导,其形成有多个槽孔天线并且连接到微波源;电介质构件,其将从所述多个槽孔天线发出的微波导入到等离子体处理室中以产生表面波等离子体;移动装置,其以使基板状的成膜对象经过面对所述电介质构件的成膜处理区域的方式使所述成膜对象往复运动;以及控制装置,其根据成膜条件通过所述移动装置控制所述成膜对象的往复运动以在所述成膜对象上进行成膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的