[发明专利]微细加工处理剂及微细加工处理方法有效
| 申请号： | 200980159339.3 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102428547A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 宫下雅之;久次米孝信;二井启一 | 申请（专利权）人： | 斯泰拉化工公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供微细加工处理剂及微细加工处理方法。本发明提供在对至少层叠有氧化硅膜及氮化硅膜的层叠膜进行微细加工时可选择性地对氧化硅膜进行微细加工的微细加工处理剂及使用该微细加工处理剂的微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂的特征在于，含有(a)0.01～15重量％的氟化氢或者0.1～40重量％的氟化铵中的至少1种、(b)水及(c)0.001～10重量％的选自丙烯酸、丙烯酸铵、丙烯酸酯、丙烯酰胺、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸铵及苯乙烯磺酸酯中的至少任1种水溶性聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 加工 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种微细加工处理剂，其特征在于，含有：(a)0.01～15重量％的氟化氢或者0.1～40重量％的氟化铵中的至少1种，(b)水，及(c)0.001～10重量％的选自丙烯酸、丙烯酸铵、丙烯酸酯、丙烯酰胺、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸铵及苯乙烯磺酸酯中的至少1种水溶性聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
