[发明专利]在基板上形成有机材料层的方法有效
申请号: | 200980159573.6 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN102449190A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | C·罗林;J·吉诺 | 申请(专利权)人: | IMEC公司;应用科学研究TNO荷兰组织;卢万天主教大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/54;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | 一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法,其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料,所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围,第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层,第二预定沉积率范围被设置成用第二预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第二单层。通过注入器的开口注入有机材料的过程被控制,以实现预定沉积率分布。 | ||
搜索关键词: | 基板上 形成 有机 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在连续式沉积系统中的基板上形成具有层厚度的有机材料层的方法,其中,通过注入器的多个开口按预定的沉积率分布把有机材料沉积到到基板上,所述注射器相对于基板而运动,其特征在于,预定的沉积率分布是非恒定沉积分布,所述非恒定沉积分布包括第一沉积率范围和第二沉积率范围,所述第一沉积率范围被设置成按第一预定平均沉积率把有机材料层的至少一个第一单层沉积到基板上,所述第二沉积率范围被设置成按第二预定平均沉积率把有机材料层的至少一个第二单层沉积到设置在基板上的至少第一单层之上,第一平均沉积率小于第二平均沉积率,并且通过注入器的开口朝着基板注入有机材料的注入过程被控制以实现预定的沉积率分布。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的