[发明专利]放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置有效
| 申请号： | 200980159679.6 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN102460215A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 德田敏;冈本保;岸原弘之;贝野正知;吉牟田利典;田边晃一 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 检测器 制造 方法 以及 摄像 装置 | ||
【主权项】：
一种放射线检测器，具备将放射线变换为电荷信号的变换层，该放射线检测器的特征在于，上述变换层是Zn浓度为1mol％以上且5mol％以下而Cl浓度为1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层。
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