[发明专利]非易失性半导体存储器有效
| 申请号： | 200980160141.7 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102473682A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 大场竜二;松下大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明一种非易失性半导体存储器，具备：第1栅极绝缘膜，形成于半导体基板的沟道区域上；第1微粒层，形成于第1栅极绝缘膜中，包含满足库仑阻塞条件的第1导电性微粒；电荷积蓄部，形成于第1栅极绝缘膜上；第2栅极绝缘膜，形成于电荷积蓄部上；第2微粒层，形成于第2栅极绝缘膜中，包含平均粒径与第1导电性微粒不同、且满足库仑阻塞条件的第2导电性微粒；以及栅电极，形成于第2栅极绝缘膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器，其特征在于，具备：第1栅极绝缘膜，形成于半导体基板的沟道区域上；第1微粒层，形成于所述第1栅极绝缘膜中，包含满足库仑阻塞条件的第1导电性微粒；电荷积蓄部，形成于所述第1栅极绝缘膜上；第2栅极绝缘膜，形成于所述电荷积蓄部上；第2微粒层，形成于所述第2栅极绝缘膜中，包含平均粒径与所述第1导电性微粒不同、且满足库仑阻塞条件的第2导电性微粒；以及栅电极，形成于所述第2栅极绝缘膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
