[发明专利]发光装置无效
| 申请号： | 200980160327.2 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102473823A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 尹旋尽;曹宰豪;金京男 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种能够提高光提取效率的发光装置。所述发光装置包括：发光芯片，发射光；芯片安装部，所述发光芯片安装在所述芯片安装部上；光反射层，形成在所述芯片安装部的至少一部分上；保护层，形成在所述光反射层上，所述保护层包括具有比所述光反射层的耐腐蚀性更高的耐腐蚀性的金属，以防止所述光反射层被腐蚀。所述芯片安装部可以是其上安装有所述发光芯片的各种元件。例如，所述芯片安装部可以是引线框架、嵌块、印刷电路板、陶瓷板、CNT基底等。因此，可以防止所述芯片安装部的腐蚀，从而使所述芯片安装部的反射率最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：发光芯片，产生光；芯片安装部，所述发光芯片安装在所述芯片安装部上；光反射层，形成在所述芯片安装部的至少一部分上；以及保护层，形成在所述光反射层上，所述保护层具有比所述光反射层更高的耐腐蚀性，以防止所述光反射层的腐蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔半导体株式会社，未经首尔半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980160327.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水电解液二次电池及其制造方法
- 下一篇：控制燃烧动态的系统和方法
