[发明专利]制造围阻层的方法和材料以及由其制成的器件有效
| 申请号： | 200980160534.8 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102470660A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | A·费尼莫尔;J·M·兹芭斯 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | B32B37/02 | 分类号： | B32B37/02;B32B38/08;B32B38/14;B32B39/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了在第一层上形成围阻的第二层的方法，所述方法包括：形成具有第一表面能的第一层；用底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述暴露区域或所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有底涂层的图案的第一层，其中底涂层的图案具有比所述第一表面能高的第二表面能；并且通过在所述第一层上的底涂层图案上液相沉积来形成所述第二层。本发明还提供了由所述方法制备的有机电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 围阻层 方法 材料 以及 制成 器件 | ||
【主权项】：
在第一层上形成围阻的第二层的方法，所述方法包括：形成具有第一表面能的第一层；用底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述暴露区域或所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有底涂层的图案的第一层，其中所述底涂层的图案具有比所述第一表面能高的第二表面能；并且通过在所述第一层上的底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二层。
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