[发明专利]膜沉积装置

摘要

当在加热气氛中在半导体衬底(10)等上沉积膜时，造成半导体衬底(10)只由于温度升高而发生相当大程度的翘曲(弯曲)。所述衬底的翘曲导致诸如衬底(10)上形成的膜质量均匀性劣化以及在衬底(10)中产生裂缝的概率增加的问题。本发明的膜形成装置(200)通过从上侧和下侧都加热主表面，来减小衬底(10)的主表面的上侧和下侧之间的温度梯度(温度差)，由此抑制衬底(10)的翘曲。更优选地，膜形成装置(200)还包括用于测量衬底(10)的曲率或翘曲的测量单元(5)。

主权项

一种膜沉积装置(200，201，301)，包括：基座(1)，所述基座(1)用于保持衬底(10)；第一加热构件(7)，所述第一加热构件(7)被放置成面对所述基座(1)的一个主表面；第二加热构件(2)，所述第二加热构件(2)被放置成面对所述基座(1)的、与所述一个主表面相反设置的另一个主表面；以及控制单元(30)，所述控制单元(30)能够独立地控制所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)彼此的各加热温度。