[发明专利]粒子射线照射装置及粒子射线治疗装置有效
| 申请号： | 200980160948.0 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102470255A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 岩田高明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | A61N5/10 | 分类号： | A61N5/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于获得可消除扫描电磁铁的磁滞影响且可实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括：磁场传感器(20)，该磁场传感器(20)对扫描电磁铁(3)的磁场进行测定；以及照射控制装置(5)，该照射控制装置(5)基于由磁场传感器(20)所测定的测定磁场(Bs)及带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)，对扫描电磁铁(3)进行控制。照射控制装置(5)具有：逆映射单元(22)，该逆映射单元(22)根据带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)运算出目标磁场(Bi)；以及补偿器(23)，该补偿器(23)输出对扫描电磁铁(3)的控制输入(Io)，该控制输入(Io)将目标磁场(Bi)与测定磁场(Bs)的磁场误差(Be)控制在规定的阈值以下。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 射线 照射 装置 治疗 | ||
【主权项】：
一种粒子射线照射装置，该粒子射线照射装置向照射对象照射由加速器进行加速且由扫描电磁铁进行扫描的带电粒子束，其特征在于，包括：磁场传感器，该磁场传感器对所述扫描电磁铁的磁场进行测定；以及照射控制装置，该照射控制装置基于由所述磁场传感器所测定的测定磁场和所述带电粒子束的目标照射位置坐标，对所述扫描电磁铁进行控制，所述照射控制装置具有：逆映射运算器，该逆映射运算器根据所述带电粒子束的目标照射位置坐标运算出目标磁场；以及补偿器，该补偿器输出对所述扫描电磁铁的控制输入，该控制输入将所述目标磁场与所述测定磁场的磁场误差控制在规定的阈值以下。
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