[发明专利]放射线检测器无效
申请号: | 200980161770.1 | 申请日: | 2009-10-05 |
公开(公告)号: | CN102549454A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 佐藤贤治;辻久男;佐佐木理;村上大辅;山口庸一;山本武史;岸本荣俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;H01L27/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种放射线检测器(1),该放射线检测器(1)沿共用电极(5)的外缘部在高电阻膜(7)的上表面上具有阻挡层(27),从而能够防止无定形半导体层(9)与固化性合成树脂(29)的化学反应。另外,阻挡层(27)与固化性合成树脂膜(29)间具有粘合性,从而能够防止由温度变化导致在阻挡层(27)与固化性合成树脂膜(29)间的界面处发生剥离等而使强度不充分、从而降低抑制翘曲、龟裂的效果。另外,由于阻挡层(27)的材料是不含有与无定形半导体层(9)发生化学反应的物质的绝缘材料,因此能够防止阻挡层(27)的材料的含有成分与半导体层的化学反应。由此,能够防止电场集中的共用电极(5)外缘部的沿面放电。 | ||
搜索关键词: | 放射线 检测器 | ||
【主权项】:
一种放射线检测器,其特征在于,具有:(a)放射线感应型的半导体层,其利用放射线的入射生成载流子;(b)高电阻膜,其以覆盖上述半导体层的上表面的方式形成,选择性地使载流子透过;(c)共用电极,其形成在上述高电阻膜的上表面上,对上述高电阻膜及上述半导体层施加偏压;(d)矩阵基板,其形成在上述半导体层的下表面上,对每个像素蓄积由上述半导体层生成的载流子并读出该载流子;(e)固化性合成树脂膜,其覆盖形成在上述矩阵基板的上表面上的上述半导体层、上述高电阻膜及上述共用电极的整个表面;(f)绝缘性的辅助板,其以夹着上述固化性合成树脂膜地与上述矩阵基板相对的方式配置,具有与矩阵基板同等程度的热膨胀系数;以及(g)阻挡层,其沿上述共用电极的外缘部形成在上述高电阻膜的上表面上,防止上述半导体层与上述固化性合成树脂膜的化学反应,并且与上述固化性合成树脂膜间具有粘合性,由不与上述半导体层发生化学反应的绝缘材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所,未经株式会社岛津制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980161770.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。