[发明专利]使用场效应晶体管作为变容器的连续可调电感电容谐振器有效
| 申请号： | 200980162723.9 | 申请日： | 2009-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102742016A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李斌;P.J.赞帕蒂;A.G.梅茨格 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种变容器包括：与双极结晶体管（BJT）的至少一部分集成的场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 场效应 晶体管 作为 容器 连续 可调 电感 电容 谐振器 | ||
【主权项】：
一种变容器，包括：与双极结晶体管（BJT）的至少一部分集成的场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。
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