[发明专利]用于相变存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 200980163406.9 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103222005A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 费迪南多·贝代斯基;克劳迪奥·雷斯塔;马尔科·费拉罗 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述操作相变存储器阵列的方法。一种方法包含：确定待写入到相变存储器阵列的模式；及根据所述模式对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列，以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。另一种方法包含：对相变存储器阵列执行置位序列；及对所述相变存储器阵列执行适当读取以获得从执行所述置位序列导出的模式。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种操作相变存储器阵列的方法，所述方法包括：确定待写入到所述相变存储器阵列的模式；及根据所述模式对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列，以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。
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