[其他]用于等离子体供给装置的模块和等离子体供给装置有效
申请号: | 200990100702.X | 申请日: | 2009-02-13 |
公开(公告)号: | CN202721890U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | D·克劳瑟 | 申请(专利权)人: | 许廷格电子两合公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H03K17/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于等离子体供给装置(10,40,60)的模块(11,12,61-76),所述等离子体供给装置用于在1-1000MHz范围的频率下以大于500W的功率为等离子体加工装置或者气体激光器供给等离子体,所述模块具有模块衬底(21,22),在所述模块衬底上设置有一个或者多个印制导线(23,24),并且所述模块具有至少一个与至少一个印制导线(23,24)连接的GaN半导体开关元件(13-16)以及一个所分配的驱动器(17-20)。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 供给 装置 模块 | ||
【主权项】:
用于等离子体供给装置(10,40,60)的模块(11,12,61‑76),所述等离子体供给装置用于在1‑1000MHz范围内的频率下以大于500W的功率为等离子体加工或者气体激光器供给等离子体,所述模块具有模块衬底(21,22),在所述模块衬底上设置有一个或者多个印制导线(23,24),并且所述模块具有至少一个设置在所述模块(11,12,61‑76)上的、与至少一个印制导线(23,24)连接的氮化镓(GaN)半导体开关元件(13‑16)。
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