[发明专利]半导体泵浦紫外激光器有效
| 申请号： | 201010000271.9 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101764348A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 闵大勇;卢飞星;何里 | 申请（专利权）人： | 武汉华工激光工程有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/0941;H01S3/081;H01S3/10 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿军 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体泵浦紫外激光器，其包括有两组泵浦耦合聚焦系统及一个谐振腔，该两组泵浦耦合聚焦系统分别位于谐振腔的两端，泵浦耦合聚焦系统发出的泵浦光射入谐振腔内双端面泵浦谐振腔内的激光工作晶体，谐振腔内设有紫外激光输出装置。借由本发明的半导体泵浦紫外激光器，可以达到产生的紫外激光光束质量好、且转换效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 紫外 激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体泵浦紫外激光器，其特征在于，其包括有两组泵浦耦合聚焦系统及一个谐振腔，所述两组泵浦耦合聚焦系统分别位于所述谐振腔的两端，所述泵浦耦合聚焦系统发出的泵浦光射入所述谐振腔内双端面泵浦所述谐振腔内的激光工作晶体，所述谐振腔内设有紫外激光输出装置。
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