[发明专利]用于堆叠半导体基板的激光接合方法有效
| 申请号： | 201010000326.6 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101783303A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴汀淏;郑创仁;李久康;蔡尚颖;彭荣辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其中叙述了使用激光接合堆叠半导体基板的方法和结构，在一具体实施方式中，形成一半导体元件的方法包含：形成一沟槽于一第一基板中，并形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上；此接合垫的上表面包含一第一材料；对准第一基板于第二基板之上，进而使沟槽对准于接合垫之上；导入一电磁射束至沟槽内，以在接合垫的第一材料和第一基板下表面的一第二材料之间形成一接合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆叠 半导体 激光 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一沟槽于一第一基板中；形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上，该接合垫的一上表面包含一第一材料；对准该第一基板于该第二基板之上，其中该沟槽对准于该接合垫之上；以及导入一激光束于该沟槽之中，以在该接合垫上的第一材料和该第一基板一下表面的一第二材料之间形成一接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
