[发明专利]使用晶片级封装的光传感器无效

专利信息
申请号: 201010000436.2 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN101882625A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: A·V·萨莫伊洛;A·伯格蒙特;C-C·卢;P·霍尔纳斯珀;J·P·龙 申请(专利权)人: 美信集成产品公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60;H01L27/146;H01L27/15
代理公司: 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 代理人: 严慎
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供用于制造微型低功率光传感器的系统、器件和方法。使用本发明,例如二极管的光敏部件是制造在硅晶片的前侧上的。从晶片前侧到晶片后侧的连接性是由穿硅通路提供的。焊料凸起置于晶片后侧,以提供到印刷电路板的耦合。在本发明中描述的技术还可应用于其他类型的半导体器件,例如发光二极管、图像传感器、压力传感器和流量传感器。
搜索关键词: 使用 晶片 封装 传感器
【主权项】:
一种集成的光传感器,包括:具有第一侧和相对的第二侧的半导体晶片;制造在所述晶片的所述第一侧上的光检测二极管;定位在所述晶片的所述第二侧上用于将所述晶片连接到印刷电路板的焊料凸起;以及在所述晶片的所述第一侧和所述第二侧之间的通路,所述通路包括在所述光检测二极管和所述焊料凸起之间导电的金属层。
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