[发明专利]使用晶片级封装的光传感器无效
申请号: | 201010000436.2 | 申请日: | 2010-01-08 |
公开(公告)号: | CN101882625A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | A·V·萨莫伊洛;A·伯格蒙特;C-C·卢;P·霍尔纳斯珀;J·P·龙 | 申请(专利权)人: | 美信集成产品公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60;H01L27/146;H01L27/15 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于制造微型低功率光传感器的系统、器件和方法。使用本发明,例如二极管的光敏部件是制造在硅晶片的前侧上的。从晶片前侧到晶片后侧的连接性是由穿硅通路提供的。焊料凸起置于晶片后侧,以提供到印刷电路板的耦合。在本发明中描述的技术还可应用于其他类型的半导体器件,例如发光二极管、图像传感器、压力传感器和流量传感器。 | ||
搜索关键词: | 使用 晶片 封装 传感器 | ||
【主权项】:
一种集成的光传感器,包括:具有第一侧和相对的第二侧的半导体晶片;制造在所述晶片的所述第一侧上的光检测二极管;定位在所述晶片的所述第二侧上用于将所述晶片连接到印刷电路板的焊料凸起;以及在所述晶片的所述第一侧和所述第二侧之间的通路,所述通路包括在所述光检测二极管和所述焊料凸起之间导电的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的