[发明专利]半导体装置及其芯片选择方法有效
| 申请号： | 201010000913.5 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102054823A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈伸显;李锺天 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有多个堆叠芯片的半导体装置，包括：穿透硅通孔(TSV)，配置为将多个芯片耦合在一起，并配置为串联耦合到多个电压降单元；多个信号转换单元，多个信号转换单元中的每一个配置为将从多个芯片中的相应的一个芯片的电压降单元输出的电压转换成数字编码信号，并且将该数字编码信号提供作为多个芯片中的相应的一个芯片的芯片识别信号；以及多个芯片选择信号产生单元，多个芯片选择信号产生单元中的每一个配置为将芯片识别信号与芯片选择识别信号比较，以产生多个芯片中的相应的一个芯片的芯片选择信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 芯片 选择 方法 | ||
【主权项】：
一种具有多个芯片的半导体装置，包括：穿透硅通孔TSV，配置为将所述多个芯片耦合在一起，并配置为串联耦合到多个电压降单元，其中，所述多个电压降单元中的每一个被包括在所述多个芯片中的相应的一个芯片内；多个信号转换单元，所述多个信号转换单元中的每一个设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内，并且配置为将从所述多个芯片中的相应的一个芯片的电压降单元输出的电压转换成数字编码信号，并将所述数字编码信号提供作为所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片识别信号；以及多个芯片选择信号产生单元，所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内，并且配置为将所述芯片识别信号与芯片选择识别信号比较，以产生所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片选择信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010000913.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
