[发明专利]离子布植机与调整离子束的方法有效

专利信息
申请号: 201010001016.6 申请日: 2010-01-18
公开(公告)号: CN101901733A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 任克川;杨允儒;万志民 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/147
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹县新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种离子布植机与调整离子束形状的方法,当离子束自分析磁铁单元输出之后,至少有一组棒状磁铁用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹,因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外,每一棒状磁铁仅由一电源提供电源,该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。本发明提出一种新颖的离子布植机与一种新的调整离子束的方法以有效并经济地调整离子束的形状而无须针对传统离子布植机的构造进行大幅或昂贵的修改,非常适于实用。
搜索关键词: 离子 布植机 调整 离子束 方法
【主权项】:
一种离子布植机,其特征在于其包括:一离子源,该离子源产生一离子束;一分析磁铁单元,该分析磁铁单元分析该离子束;及一第一组棒状磁铁,该第一组棒状磁铁调整经该分析磁铁单元分析过的该离子束的形状,该第一组棒状磁铁包含:一第一棒状磁铁,该第一棒状磁铁包含一第一连续线圈;及一第二棒状磁铁,该第二棒状磁铁位于与该第一棒状磁铁相距第一预设距离的位置,该第二棒状磁铁包含一第二连续线圈;其中至少一该棒状磁铁可以在分析后的该离子束通过该第一棒状磁铁与该第二棒状磁铁之间的空间时,施加一多阶磁场于分析后的该离子束。
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