[发明专利]用于可编程晶体管阵列的电路和方法有效
申请号: | 201010001096.5 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN101794777A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 罗明健;吴国雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;G06F17/50 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明披露了可编程晶体管阵列电路和方法,该电路包括:半导体衬底;以及多个基本晶体管单元(BTU),以均匀间隔单元的行和列进行配置,BTU还包括:PMOS晶体管单元(PTU)、NMOS晶体管单元(NTU)和虚拟晶体管单元(DTU),每个BTU都具有配置在经过BTU的单一方向上的导体和相互均匀间隔的导体。BTU的配置遵守严格设计规则。使用金属化的第一和第二层从BTU形成逻辑晶体管单元(LTU)。披露了形成可编程晶体管阵列并在可编程晶体管阵列上实现用户指定系统设计的用于生产集成电路的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 可编程 晶体管 阵列 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种可编程晶体管阵列,包括:半导体衬底;以及多个基本晶体管单元(BTU),以均匀间隔单元的行和列进行配置,所述BTU进一步包括PMOS晶体管单元(PTU)、NMOS晶体管单元(NTU)和虚拟晶体管单元(DTU),每个BTU都具有配置在经过所述BTU的单一方向上的导体和相互均匀间隔的导体;其中,所述BTU的配置遵守严格设计规则,使得NTU在行中邻近其他NTU和DTU但不邻近PTU,并且所述PTU在行中邻近其他PTU和DTU但不邻近DTU。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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