[发明专利]图案化的方法及集成电路结构有效
申请号: | 201010001492.8 | 申请日: | 2010-01-12 |
公开(公告)号: | CN101859697B | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 吕函庭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/8247;H01L27/115 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种图案化的方法。首先,于目标层上依序形成掩膜层及多个第一转移图案。接着,于第一转移图案之间的间隙中形成多个第二转移图案,同时减小第一转移图案的宽度。然后,于第一转移图案与第二转移图案之间的间隙中形成多个第三转移图案,同时减小第一转移图案与第二转移图案的宽度。之后,以第一转移图案、第二转移图案及第三转移图案为掩膜,移除部份的掩膜层,以形成图案化掩膜层。继之,以图案化掩膜层为掩膜,移除部份的目标层。 | ||
搜索关键词: | 图案 方法 集成电路 结构 | ||
【主权项】:
一种图案化的方法,包括:于一目标层上依序形成一掩膜层及多个第一转移图案;对所述第一转移图案的表面进行一第一转换工艺,以于所述第一转移图案的表面上形成多个第一转换图案,该第一转换工艺使该多个第一转移图案的宽度减小;于所述第一转换图案之间的间隙中填入多个第二转移图案;移除所述第一转换图案;对所述第一转移图案及所述第二转移图案的表面进行一第二转换工艺,以于所述第一转移图案及所述第二转移图案的表面上形成多个第二转换图案,该第二转换工艺使该多个第一转移图案和多个第二转移图案的宽度减小;于所述第二转换图案之间的间隙中填入多个第三转移图案;移除所述第二转换图案;以所述第一转移图案、所述第二转移图案及所述第三转移图案为掩膜,移除部份的该掩膜层,以形成一图案化掩膜层;以及以该图案化掩膜层为掩膜,移除部份的该目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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