[发明专利]埋入式栅极字元线装置的堆迭式电容结构及电容制造方法

摘要

本发明提供一种埋入式栅极字元线装置的堆迭式电容结构及制造方法。该电容结构包括：一基底具有一记忆胞阵列区域和一周边区域，周边区域具有一对准标记；一第一介电层设置在基底上；一稳定堆迭层设置在第一介电层上；一第二介电层在稳定堆迭层上；以及多个堆迭式电容结构设置在记忆胞阵列区域及一阻障结构环绕对准标记设置在周边区域；其中在周边区域的对准标记上方与阻障结构的内部为一透明的第三介电层。

主权项

一种堆迭式电容的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：提供一基底具有一记忆胞阵列区域和一周边区域，其中所述记忆胞阵列区域包括多个电容堆迭的结构，所述周边区域具有一对准标记；形成一第一介电层在所述的基底上；形成一稳定堆迭层包括一氮化硅层和一氧化硅层在所述的第一介电层上；形成一第二介电层在所述的稳定堆迭层上；实施一第一图案化步骤以形成多个电容开口在记忆胞阵列区域及一沟槽环绕所述的对准标记；顺应性地沉积一第一电极层在所述的基底上并填入所述多个电容开口与沟槽的内侧表面上；沉积一第三介电层在所述的第一电极层上并覆盖整个基底上，并填满电容开口与沟槽的内部；平坦化所述的第三介电层并移除所述的第二介电层表面上多余的第三介电层；实施一第二图案化步骤将所述的第二介电层图案化，定义出一第一开口露出所述的电容开口的表面以及一第二开口露出所述的沟槽所环绕的区域；依序移除所述的第一和第二开口所露出的所述的第三介电层和所述的稳定堆迭层的所述的氧化硅层部分；顺应性地沉积一高介电常数介电层和一第二电极层在所述的基底上并填入所述多个电容开口与沟槽的内侧表面上；沉积一金属层在所述的基底上并填满所述多个电容开口与沟槽的内部；图案化所述的金属层露出所述的周边区域的一开口区域；移除所述的周边区域的所述的开口区域下方的所述的稳定堆迭层和第一介电层，并露出所述的对准标记；以及沉积一第五介电层在所述的基底上并填入所述的周边区域的所述的开口区域，并接着将所述的第五介电层平坦化。