[发明专利]形成感测电路的方法及其结构有效
申请号: | 201010002045.4 | 申请日: | 2010-01-07 |
公开(公告)号: | CN101847599A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | H·L·马西;老J·L·卡特 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/60;H01L27/06;H01L23/485 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及形成感测电路的方法及其结构。在一个实施方式中,感测电路包括感测晶体管和补偿电路,以提高由感测电路形成的感测信号的准确性。 | ||
搜索关键词: | 形成 电路 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种形成电流感测电路的方法,所述方法包括如下步骤:提供半导体基底;在所述半导体基底上形成主晶体管,所述主晶体管具有形成有源极区的源极;在所述半导体基底上形成感测晶体管,所述感测晶体管具有形成有源极区的源极,所述感测晶体管的栅极耦合到所述主晶体管的栅极,且所述感测晶体管的漏极耦合到所述主晶体管的漏极,其中所述感测晶体管的所述源极区小于所述主晶体管的所述源极区;在所述半导体基底上形成电阻分压器,所述电阻分压器具有第一电阻器和第二电阻器,所述第一电阻器的第一端子耦合到所述电阻分压器的输入,所述第一电阻器的第二端子耦合到感测节点,所述第二电阻器的第一端子耦合到所述感测节点,且所述电阻分压器的所述输入耦合到所述主晶体管的所述源极;将所述电阻分压器的所述输入和所述主晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第一连接焊盘;将所述感测晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第二连接焊盘;将所述感测节点耦合到所述半导体基底上的第三连接焊盘;将所述第二电阻器的第二端子耦合到所述半导体基底上的第四连接焊盘;以及将所述第一连接焊盘耦合到半导体封装的第一端子,将所述第二连接焊盘耦合到所述半导体封装的第二端子,将所述第三连接焊盘耦合到所述半导体封装的第三端子,并将所述第四连接焊盘耦合到所述半导体封装的第四端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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