[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置有效
| 申请号： | 201010002378.7 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101794819A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 河载兴;李钟赫;宋英宇;崔千基 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有含氧的化合物半导体作为活化层的薄膜晶体管，制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和形成为与所述活化层接触的源极和漏极，形成所述源极和所述漏极以，其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 包括 平板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；形成在所述基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和源极和漏极，所述源极和漏极形成为与所述活化层接触，其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)。
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