[发明专利]晶片级发光二极管封装结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010002857.9 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102136539A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 汪秉龙;萧松益;陈政吉 | 申请（专利权）人： | 宏齐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该封装结构包括：一发光单元、一反射单元、一第一导电单元及一第二导电单元。发光单元具有一基板本体、一设置在基板本体上的发光本体、一成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于发光本体内的发光区域。反射单元具有一成形于正、负极导电层之间并且成形于基板本体上以包围发光本体外侧的反射层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光单元，其具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；一反射单元，其具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上以包围该发光本体外侧的反射层；一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；以及一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。
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