[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010002886.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101794820A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎;岛津贵志;大原宏树;佐佐木俊成;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/38;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一在于使用氧化物半导体层提供具备其电特性及可靠性优异的薄膜晶体管的半导体装置。使用包含绝缘物(绝缘氧化物、绝缘氮化物或氧氮化硅、氧氮化铝等)，典型地包含SiO2的氧化物半导体靶材进行成膜，以实现其氧化物半导体层的膜厚度方向上的Si元素浓度具有由离栅电极近的一侧至离栅电极远的一侧逐渐增加的浓度梯度的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；至少包含锌和SiOx的氧化物半导体层；以及所述栅电极和所述氧化物半导体层之间的绝缘层，其中，所述氧化物半导体层的膜厚度方向上的硅浓度具有随着离所述栅电极的距离的增加而逐渐增加的梯度。
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