[发明专利]用于抛光半导体衬底的边缘的设备无效

专利信息
申请号: 201010003394.8 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN101791780A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 沃尔特·施瓦岑贝格;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯 申请(专利权)人: 硅绝缘体技术有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B41/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于化学地和机械地抛光半导体衬底的边缘的设备,所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分离步骤的诸如Smart-CutTM的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌。为了能除去该台阶状区域,所述设备包括抛光垫,其中所述抛光垫被布置和构造成使得在与衬底保持器的表面垂直的平面中的所述抛光垫的横截面是弯曲的。本发明还涉及用于所述设备的垫保持器和用于抛光包括突出的残留形貌的半导体衬底的方法。
搜索关键词: 用于 抛光 半导体 衬底 边缘 设备
【主权项】:
一种用于抛光半导体衬底的边缘的设备,所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分离步骤的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌,所述设备包括:用于容纳所述半导体衬底的衬底保持器,和抛光垫,其中,所述抛光垫被布置并且构造成使得在与所述衬底保持器的表面垂直的平面中的所述抛光垫的横截面是弯曲的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅绝缘体技术有限公司,未经硅绝缘体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010003394.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top