[发明专利]等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质无效
| 申请号： | 201010003425.X | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101826435A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 武川贵仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质。该等离子蚀刻方法能够在抑制ArF光致抗蚀剂的损伤(表面粗糙)的同时、以较高的蚀刻速率及充分的选择比对含有硅的防反射膜(Si-ARC)进行等离子蚀刻。该等离子蚀刻方法将形成于基板上的ArF光致抗蚀剂(103)作为掩模，利用处理气体的等离子体对位于ArF光致抗蚀剂(103)的下层的含有Si的防反射膜(102)进行蚀刻，其中，作为处理气体，使用含有CF类气体和/或CHF类气体、CF3I气体、氧气的混合气体，而且，对上部电极施加直流电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种等离子蚀刻方法，该方法使用等离子蚀刻装置，该等离子蚀刻装置包括配置在处理室内且载置基板的下部电极、与上述下部电极相对地配置在上述处理室内的上部电极、用于向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给机构、用于对上述下部电极与上述上部电极之间施加高频电力的高频电源，使用该等离子蚀刻装置将形成于上述基板上的ArF光致抗蚀剂作为掩模，利用上述处理气体的等离子体对位于上述ArF光致抗蚀剂的下层的、含有Si的防反射膜进行蚀刻，该等离子蚀刻方法的特征在于，作为上述处理气体，使用含有CF类气体和/或CHF类气体、CF3I气体、氧气的混合气体，而且，对上述上部电极施加直流电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010003425.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种等离子刻蚀残留物清洗液
- 下一篇：具有多个曲柄组件的适应性运动锻炼装置
