[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包含提供一具有一栅极沟槽的半导体基底，及以物理气相沉积工艺沉积金属层于该沟槽上，以部分填满此沟槽。此金属层包含一底部部分及一侧壁部分，其中侧壁部分较底部部分薄。此方法也包含形成一涂布层于此金属层上，回蚀刻此涂布层，以保护沟槽中部分的金属层，并移除金属层未受保护的部分。本发明也提供一半导体装置，包含一栅极，其含有一具有一顶部表面的沟槽，及一形成于此沟槽上的金属层，其中此金属层包含一侧壁部分及一底部部分，且侧壁部分较底部部分薄。本发明能够使用物理气相沉积形成栅极。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一具有一栅极沟槽的半导体基底；沉积一金属层于该基底上，以部分填满该沟槽，使该金属层包含一底部部分及一侧壁部分，其中该侧壁部分较该底部部分薄；形成一保护层于该金属层上，以使一部分的该保护层保护该沟槽中的一部分的该金属层；以及移除该金属层未受保护的部分。