[发明专利]三氯硅烷制造装置以及三氯硅烷制造方法无效
申请号: | 201010003779.4 | 申请日: | 2010-01-18 |
公开(公告)号: | CN101798086A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 生川满敏 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 崔幼平;杨楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的三氯硅烷制造装置(1)是通过氯化氢气体使供给到反应炉(2)内的金属级的硅粉末(S)流动并进行反应,从反应炉(2)中取出通过这种反应而生成的三氯硅烷,在反应炉(2)的内部空间中,沿着上下方向设置有隔开环状空间(R)地配置在与该反应炉(2)的内周面之间的多个气体流控制部件(32),以及配置在环状空间(R)内、传热介质流通的导热管(31)。 | ||
搜索关键词: | 硅烷 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种三氯硅烷制造装置,其特征在于,设有:反应炉;原料供给机构,将作为原材料的金属级的硅粉末供给到上述反应炉中;气体导入机构,将氯化氢气体导入上述反应炉中,用于通过上述氯化氢气体使供给到反应炉内的上述金属级的硅粉末流动并进行反应;气体取出机构,从上述反应炉中取出通过上述反应而生成的三氯硅烷;多个气体流控制部件,在上述反应炉的中心部空间内沿着上下方向配置;导热管,在包围上述中心部空间的环状空间内沿着上下方向配置,传热介质在其中流通。
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