[发明专利]一种存储器装置及其操作方法无效
| 申请号： | 201010004014.2 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101877245A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李明修;陈介方;施彦豪;朱煜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置通过电绝缘层自存储材料的实体分离以建立高电阻状态且通过电绝缘层的至少一部分再合并至存储材料中以建立低电阻状态来编程及擦除。编程及擦除的实体机制包含移动结构空位以形成空隙及/或掺杂材料与主体材料的分离，以沿电极之间的电极间电流路径形成由空隙及/或介电掺杂材料构成的电绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：一存储单元，包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一存储材料的本体；以及一电路，将一偏压配置施加至该存储单元，该偏压配置包括：一第一偏压配置，引起一电绝缘层自该存储材料的本体分离出的一分离现象，以建立一高电阻状态；以及一第二偏压配置，引起该电绝缘层的至少一部分再合并至该存储材料的本体中，以建立一低电阻状态。
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