[发明专利]非易失性存储装置及操作该存储装置的方法无效
| 申请号： | 201010004059.X | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101819818A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 安圣薰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储装置及操作该存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：第一节点；电流源，被配置为具有根据提供给所述第一节点的电压确定的电流值；以及耦合到所述第一节点的存储单元串，所述存储单元串包括至少一个存储单元。基于提供给所述第一节点的电压确定包括在所述存储单元串中的存储单元是否已被编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，包括：第一节点；电流源，被配置为具有根据所述第一节点的电压确定的电流值；以及耦合到所述第一节点的存储单元串，所述存储单元串包括至少一个存储单元；其中，基于所述第一节点的电压确定包括在所述存储单元串中的所述至少一个存储单元之一是否已被编程。
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