[发明专利]页面缓冲电路和非易失性存储装置无效
申请号: | 201010004065.5 | 申请日: | 2010-01-18 |
公开(公告)号: | CN101794619A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 许晃 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种页面缓冲电路和非易失性存储装置,该页面缓冲电路包括:感测放大单元,其配置成将参考电压与选择的存储块的位线的位线电压相比较,并且将感测节点的电压电平增加所述参考电压与所述位线电压之间的差,其中所述位线电压根据选择的存储单元的编程状态而经历改变;以及若干锁存电路,其配置成根据所述感测节点的电压电平来锁存编程验证数据。 | ||
搜索关键词: | 页面 缓冲 电路 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种页面缓冲电路,包括:感测放大单元,其配置成将参考电压与选择的存储块的位线的位线电压相比较,并且将感测节点的电压电平增加所述参考电压与所述位线电压之间的差,其中所述位线电压根据选择的存储单元的编程状态而经历改变;以及若干锁存电路,其配置成根据所述感测节点的电压电平来锁存编程验证数据。
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