[发明专利]具有保护层的半导体发光元件有效
| 申请号： | 201010004583.7 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102130261A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 姚久琳;吕志强 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示具有保护层的半导体发光元件，其结构至少包含散热基板，第一连接层位于散热基板之上，保护层位于第一连接层之上，第二连接层位于保护层之上，及发光单元位于第二连接层之上。其中保护层具有高绝缘性，可避免发光单元与散热基板之间形成漏电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护层 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，至少包含：散热基板；第一连接层位于该散热基板之上；保护层位于该第一连接层之上，其中该保护层具有高绝缘性；第二连接层位于该保护层之上；以及发光单元包含外延结构且位于该第二连接层之上，其中该外延结构至少包含第一电性半导体层、第二电性半导体层、以及活性层介于该第一电性半导体层及该第二电性半导体层之间，且该保护层可避免该发光单元与该散热基板之间形成漏电路径。
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