[发明专利]硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用有效

专利信息
申请号: 201010011815.1 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN101775657A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 于法鹏;袁多荣;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;G01D3/036
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 赵会祥
地址: 250100山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用。对于32点群的硅酸镓镧系列晶体,正的d11的方向取为x的正方向,y、z方向根据右手螺旋法则确定;晶体厚度方向为Y,长度方向为X,以X方向按右手螺旋法则旋转α角度,记为YXltw(α),-90°<α<+20°,+α为逆时针旋转,-α为顺时针旋转;切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度=0.2~2∶6~12∶6~12。本发明的硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型和频率器件具有频率稳定性高,适应温度范围广,晶片加工简单的特点。
搜索关键词: 硅酸 系列 晶体 高温 温度 补偿 应用
【主权项】:
硅酸镓镧系列晶体切型,其特征在于,对于32点群的硅酸镓镧系列晶体,正的d11的方向取为x的正方向,y、z方向根据右手螺旋法则确定;晶体厚度方向为Y,长度方向为X,以X方向按右手螺旋法则旋转α角度,记为YXltw(α),-90°<α<+20°,+α为逆时针旋转,-α为顺时针旋转;切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度=0.2~2∶6~12∶6~12;优选的,切型样品尺寸比例为厚度∶宽度∶长度=1.5∶9∶9。
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