[发明专利]一种氧化锌薄膜的制备方法及应用无效
| 申请号： | 201010011816.6 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102115027A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 曹丙强;刘宗明;赵蔚琳;段广彬;魏浩铭 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;H01J31/12;H01J29/04;H01J9/02;H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 辛向东 |
| 地址： | 250022 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米结构的制备及电子器件的制造技术领域，尤其涉及一种具有二维多孔结构的氧化锌薄膜的制备方法，及基于该种薄膜的同时具有场发射和紫外光探测功能的器件。提供一种具有二维多孔结构的氧化锌薄膜的制备方法，更为重要的是基于这种薄膜的原理型器件同时具备场发射和紫外光电探测功能。本发明以十字形石英管为生长腔，并且采用了较低的生长压力，所制备的氧化锌薄膜具有垂直的二维纳米璧多孔结构，有利于同时实现场发射和紫外光探测性能，并且性能较普通薄膜型器件有较大改善，除此之外，该器件制备工艺较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氧化锌薄膜材料，其特征在于：其结构为垂直于衬底的二维纳米壁连接而成的多孔结构。
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