[发明专利]半导体器件及形成CMOS器件应力膜的方法有效
| 申请号： | 201010022575.5 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122638A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 叶好华;王媛;潘梓诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法及半导体器件，该方法包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管包含有NMOS掺杂区，PMOS晶体管包含有位于N阱内的PMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；在半导体衬底上形成应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管；去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜。本发明可以提高同批制造的MOS器件的稳定性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 cmos 器件 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管包含有NMOS掺杂区，PMOS晶体管包含有位于N阱内的PMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；在半导体衬底上形成应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管；去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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